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    高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V

    2025-01-16

    高电流密度IGBT模块LE2  200A/650V


    JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块 ,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。

    此款IGBT模块推荐用于有源电力滤波器(Active Power Filter ,简称APF)及其他三电平应用。APF可广泛应用于工业 、商业和机关团体的配电网中,如:电力系统、电解电镀企业 、水处理设备、石化企业 、大型商场及办公大楼 、精密电子企业、机场港口的供电系统、医疗机构等。



    产品系列:

    ● JL3I200V65RE2PN

    ● JL3I150V65RE2PN

    ● JL3I100V65RE2PN


    产品特点


    • 优异的导通和开关损耗

    • 同类最佳封装,优化外壳结构 ,更长的爬电距离

    • 采用ZTA基板,更低的结壳热阻 ,更强的可靠性

    • 模块杂散电感极低

    • 优化接线端子,在大电流下更低的端子温升

    • 可选PressFIT针脚和焊接针

    应用价值


    • 出色的模块效率

    • 提高功率密度

    • 系统成本更具优势

    • 提高系统效率

    • 紧凑型设计

    竞争优势


    相同封装及拓扑下,最大电流能力能达到200A ,全系列二极管电流满配 ,更适合储能应用 。

    ●  新芯片技术可降低导通和开关损耗,从而提高效率。

    应用领域


    ●  SVG

    ●  APF

    ●  其他三电平应用


    如需进一步了解更多产品,可关注小鲜半导体官网https://www.yd505.com/以获得更新的产品信息,小鲜功率半导体亦可为您提供更贴合贵公司的产品和定制化服务,欢迎垂询。

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